STMicroelectronics_STI13NM60N
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STMicroelectronics
STI13NM60N

278-STI13NM60N
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600V N-Channel MOSFET, 11A, 360mR RdsOn, I2PAK
16 Weeks

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APAC
ISO9001
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ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
11A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
360mR
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
360MR
Fall Time
10ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
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FAQ

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STI13NM60N의 장착 방식은 무엇인가요?
STI13NM60N은(는) 무엇인가요?
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