STMicroelectronics
STB32NM50N
단일 FET, MOSFET
STB32NM50N
278-STB32NM50N
STMicroelectronics-STB32NM50N-datasheets-2521846.pdf
MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
재고 : 1486
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기술 사양
Unit Weight
구성
Id - Continuous Drain Current
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Channel Mode
제품상태
Fall Time
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Tradename
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
기술
REACH 상태
Rds On - Drain-Source Resistance
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Rise Time
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
USHTS
FET 유형
공급자 장치 패키지
Qg - Gate Charge
전력 소비(최대)
제조업체
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
장착 스타일
FET 기능
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
Supplier Package
ECCN (US)
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant
STB32NM50N 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. STB32NM50N
Product Change Notification 2024-03-05 (PDF) D2PAK Leads (Pins) Modification (PDF) MDmesh II Technology, Power MOSFET Transistors, 8" Wafer size Front-end Capacity Extension - Ang Mo Kio (Singapore) (PDF) Product / Process Change Notification (PDF) Product Change Notification (PDF) 관련 부품
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