STMicroelectronics_STB10N65K3
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STMicroelectronics
STB10N65K3

278-STB10N65K3
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POWER, FET

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original
D&B

기술 사양

패키지/케이스
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
750mR
드레인-소스 전압(Vdss)
650V
Fall Time
35ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
입력 커패시턴스
1.18nF
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FAQ

STB10N65K3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
예. 관련 제품 데이터가 있는 경우 이 페이지에 관련 부품 또는 대체 부품이 표시될 수 있습니다.
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STB10N65K3은(는) 무엇인가요?
STB10N65K3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
STB10N65K3은(는) 현재 재고가 있나요?
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