STMicroelectronics_STB4N62K3
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STMicroelectronics
STB4N62K3

278-STB4N62K3
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620V 3.8A N-CH MOSFET, 1.95R, D2PAK, TO-263
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ISO9001
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ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
3.8A
Drain to Source Breakdown Voltage
620V
Drain to Source Resistance
1.95R
드레인-소스 전압(Vdss)
620V
Drain-source On Resistance-Max
1.95R
Fall Time
19ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
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FAQ

STB4N62K3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
STB4N62K3에 현재 표시된 전압 관련 사양은 620V입니다.
STB4N62K3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
STB4N62K3의 장착 방식은 무엇인가요?
STB4N62K3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
STB4N62K3은(는) 무엇인가요?
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