STMicroelectronics
SCTWA50N120
단일 FET, MOSFET
SCTWA50N120
278-SCTWA50N120
STMicroelectronics-SCTWA50N120-datasheets-444727.pdf
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
재고 : 1206
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기술 사양
Unit Weight
구성
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Id - Continuous Drain Current
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
PPAP
Channel Mode
제품상태
Automotive
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
Tradename
Maximum IDSS (uA)
패키지/케이스
채널 수
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Rds On - Drain-Source Resistance
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
Maximum Drain Source Voltage (V)
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Vgs(일)(최대) @ Id
Typical Reverse Recovery Charge (nC)
Pin Count
Mounting
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
Lead Shape
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
Typical Gate to Drain Charge (nC)
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
Typical Reverse Recovery Time (ns)
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Qg - Gate Charge
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
전력 소비(최대)
Package Height
Typical Gate to Source Charge (nC)
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
제조업체
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
Typical Gate Threshold Voltage (V)
장착 스타일
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Gate Plateau Voltage (V)
재료
Transistor Polarity
Package Length
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
Typical Diode Forward Voltage (V)
Operating Junction Temperature (°C)
Typical Output Capacitance (pF)
Tab
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
ECCN (EU)
Country of Origin
SCTWA50N120 서류
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