ROHM Semiconductor_RS6G120BGTB1
original

ROHM Semiconductor
RS6G120BGTB1

278-RS6G120BGTB1
PDF 데이터시트
NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
16 Weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

구성
Single Quad Drain Triple Source
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
90
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
4240 pF @ 20 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Typical Rise Time (ns)
24
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)
24
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FAQ

RS6G120BGTB1의 표준 리드타임은 얼마인가요?
RS6G120BGTB1에 현재 표시된 표준 리드타임은 16 Weeks입니다.
RS6G120BGTB1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
RS6G120BGTB1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
RS6G120BGTB1은(는) 무엇인가요?
RS6G120BGTB1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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