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ROHM Semiconductor
RS1E300GNTB
278-RS1E300GNTB
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
21 Weeks
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2500 pF @ 15 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
39.8 nC @ 10 V
제품상태
Not For New Designs
공급자 장치 패키지
8-HSOP
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전력 소비(최대)
3W (Ta), 33W (Tc)
패키지/케이스
8-PowerTDFN
FAQ
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