ROHM Semiconductor_RQ3E160ADTB
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ROHM Semiconductor
RQ3E160ADTB

278-RQ3E160ADTB
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
21 Weeks

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original
D&B

기술 사양

FET 유형
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
8-HSMT (3.2x3)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
Power Dissipation-Max
2W (Ta)
패키지/케이스
8-PowerVDFN
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FAQ

RQ3E160ADTB의 표준 리드타임은 얼마인가요?
RQ3E160ADTB에 현재 표시된 표준 리드타임은 21 Weeks입니다.
RQ3E160ADTB에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
RQ3E160ADTB의 장착 방식은 무엇인가요?
RQ3E160ADTB은(는) 현재 재고가 있나요?
RQ3E160ADTB은(는) 무엇인가요?
유효성 (재고 : 98 )
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10+ $1.00870 $10.09
30+ $0.90030 $27.01
100+ $0.77700 $77.70
500+ $0.72280 $361.40
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