ROHM Semiconductor_RS1E240BNTB
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ROHM Semiconductor
RS1E240BNTB

278-RS1E240BNTB
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
3900 pF @ 15 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
70 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
8-HSOP
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전력 소비(최대)
3W (Ta), 30W (Tc)
패키지/케이스
8-PowerTDFN
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FAQ

RS1E240BNTB에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
예. 관련 제품 데이터가 있는 경우 이 페이지에 관련 부품 또는 대체 부품이 표시될 수 있습니다.
RS1E240BNTB에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
RS1E240BNTB은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
RS1E240BNTB은(는) 무엇인가요?
RS1E240BNTB의 표준 리드타임은 얼마인가요?
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