

ROHM Semiconductor
RQ3E080BNTB
278-RQ3E080BNTB
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
21 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
FET 유형
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
8-HSMT (3.2x3)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
Power Dissipation-Max
2W (Ta)
패키지/케이스
8-PowerVDFN
FAQ
RQ3E080BNTB의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 RQ3E080BNTB의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
RQ3E080BNTB은(는) 현재 재고가 있나요?
RQ3E080BNTB은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
RQ3E080BNTB에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
RQ3E080BNTB에 수량별 가격이 있나요?



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