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ROHM Semiconductor
RQ3E070BNTB1
278-RQ3E070BNTB1
PDF 데이터시트
NCH 30V 15A POWER MOSFET: RQ3E07
16 Weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Single Quad Drain Triple Source
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
23
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
410 pF @ 15 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Typical Rise Time (ns)
8
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
FAQ
RQ3E070BNTB1은(는) 현재 재고가 있나요?
예. 현재 RQ3E070BNTB1의 재고는 5965개로 표시됩니다.
RQ3E070BNTB1은(는) 무엇인가요?
RQ3E070BNTB1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
RQ3E070BNTB1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
RQ3E070BNTB1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
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