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ROHM Semiconductor
R6530KNX3C16
278-R6530KNX3C16
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
16 Weeks
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전문 플랫폼
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1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2350 pF @ 25 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
56 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-220AB
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전력 소비(최대)
307W (Tc)
패키지/케이스
TO-220-3
FAQ
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R6530KNX3C16은(는) 무엇인가요?
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