onsemi
FDMS3669S
FET, MOSFET 어레이
FDMS3669S
289-FDMS3669S
onsemi-FDMS3669S-datasheets-4325103.pdf
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
재고 : 6000
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기술 사양
작동 온도
FET 기능
구성
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
ECCN
장착 유형
제품상태
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
시리즈
패키지/케이스
기술
전력 - 최대
REACH 상태
제조업체
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
HTSUS
패키지
RoHS 현황
기본 제품 번호
수분 민감도 수준(MSL)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
HTS
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
Typical Fall Time (ns)
Package Height
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Gate Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Pin Count
Mounting
Part Status
SVHC
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
FDMS3669S 서류
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Mult Dev Assembly 11/Mar/2020 FDMS3669S Mult Devices 24/Oct/2017 FDMS3669S Logo 17/Aug/2017 onsemi RoHS onsemi REACH Material Declaration FDMS3669S 관련 부품
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