onsemi_FDD3510H
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FDD3510H

289-FDD3510H
PDF 데이터시트
Dual N/P-Ch MOSFET, 80V, 2.8A, 80mR, TO-252-5, SMT

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
TO-252-5
Continuous Drain Current (ID)
2.8A
Drain to Source Breakdown Voltage
80V
Drain to Source Resistance
80mR
드레인-소스 전압(Vdss)
80V
Drain-source On Resistance-Max
80MR
Fall Time
5ns
FET 유형
N and P-Channel
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FAQ

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FDD3510H에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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