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Infineon Technologies
IPD80R360P7ATMA1
278-IPD80R360P7ATMA1
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
20 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Single
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
40
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
1000
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
930 pF @ 500 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Typical Rise Time (ns)
6
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
FAQ
IPD80R360P7ATMA1의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 IPD80R360P7ATMA1의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
IPD80R360P7ATMA1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
IPD80R360P7ATMA1은(는) 현재 재고가 있나요?
IPD80R360P7ATMA1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
IPD80R360P7ATMA1은(는) 무엇인가요?
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