Infineon Technologies_IPN80R2K0P7ATMA1
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Infineon Technologies
IPN80R2K0P7ATMA1

278-IPN80R2K0P7ATMA1
PDF 데이터시트
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

구성
Single
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
40
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
1000
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
175 pF @ 500 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Typical Rise Time (ns)
8
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
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FAQ

IPN80R2K0P7ATMA1의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 IPN80R2K0P7ATMA1의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
IPN80R2K0P7ATMA1의 표준 리드타임은 얼마인가요?
IPN80R2K0P7ATMA1은(는) 현재 재고가 있나요?
IPN80R2K0P7ATMA1은(는) 무엇인가요?
IPN80R2K0P7ATMA1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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