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GeneSiC Semiconductor
G3R30MT12K
278-G3R30MT12K
PDF 데이터시트
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
26 Weeks
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책임 있는 품질
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기술 사양
PCB changed
4
HTS
8541.10.00.80
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
3901 pF @ 800 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
155 nC @ 15 V
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
281000
FAQ
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예. 관련 제품 데이터가 있는 경우 이 페이지에 관련 부품 또는 대체 부품이 표시될 수 있습니다.
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G3R30MT12K은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
G3R30MT12K의 표준 리드타임은 얼마인가요?
G3R30MT12K은(는) 무엇인가요?
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