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GeneSiC Semiconductor
G3R160MT12D
278-G3R160MT12D
PDF 데이터시트
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
26 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
730 pF @ 800 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
28 nC @ 15 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-247-3
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전력 소비(최대)
123W (Tc)
패키지/케이스
TO-247-3
FAQ
G3R160MT12D의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 G3R160MT12D의 장착 방식은 Through Hole입니다.
G3R160MT12D의 표준 리드타임은 얼마인가요?
G3R160MT12D은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
G3R160MT12D에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
G3R160MT12D에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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