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책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Single Dual Drain Dual Gate
PCB changed
16
HTSUS
8541.29.00.75
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
140
Typical Power Gain (dB)
18
Number of Elements per Chip
1
ECCN
EAR99
Channel Mode
Enhancement
FAQ
BLP35M805Z은(는) 무엇인가요?
BLP35M805Z은(는) Ampleon의 RF FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
BLP35M805Z은(는) 현재 재고가 있나요?
BLP35M805Z은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
BLP35M805Z에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
BLP35M805Z에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
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