Ampleon_BLP27M810Z
original

Ampleon
BLP27M810Z

285-BLP27M810Z
PDF 데이터시트
Trans RF FET N-CH 65V 16-Pin HVSON EP T/R

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

구성
Dual Common Source
PCB changed
16
HTS
8541.29.00.75
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
140
Typical Power Gain (dB)
17
Number of Elements per Chip
2
ECCN (US)
EAR99
Channel Mode
Enhancement
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FAQ

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BLP27M810Z은(는) 무엇인가요?
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