


왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
구성
Dual Common Source
PCB changed
12
HTSUS
8541.29.00.75
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
120
Typical Power Gain (dB)
22
Number of Elements per Chip
2
ECCN
EAR99
Channel Mode
Enhancement
FAQ
BLP10H610AZ은(는) 무엇인가요?
BLP10H610AZ은(는) Ampleon의 RF FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
BLP10H610AZ은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
BLP10H610AZ의 장착 방식은 무엇인가요?
BLP10H610AZ에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
BLP10H610AZ은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?



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