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책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Dual Common Source
Maximum Gate Source Voltage (V)
13
Maximum Drain Source Voltage (V)
65
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
Typical Power Gain (dB)
14.5
Number of Elements per Chip
2
ECCN (US)
EAR99
Channel Mode
Enhancement
FAQ
BLC8G24LS-241AVY은(는) 무엇인가요?
BLC8G24LS-241AVY은(는) Ampleon의 RF FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
BLC8G24LS-241AVY은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
BLC8G24LS-241AVY에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
BLC8G24LS-241AVY은(는) 현재 재고가 있나요?
BLC8G24LS-241AVY에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
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