이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
94-2608PBFSingle FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 60V | 재고 | - | |
IRF620PBFSingle FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 200V 5.2A 800mR TO-220AB | 4964 | - | |
IRFR110PBFSingle FETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 100V, 4.3A, 540mR, DPAK, Surface Mount | 3601 | - | |
SQM60N20-35_GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK | 재고 | - | |
SUP53P06-20-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB | 6014 | - | |
SUP50020E-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
SUP50010E-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 662 | - | |
SUM90N03-2M2P-E3Single FETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 30V, 33A, 2.2mR Rds On, TO-263 | 572 | - | |
SUM90142E-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor | 22133 | - | |
SI7116DN-T1-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | 40V 10.5A N-CH MOSFET, 7.8mR Rds On, Surface Mount | 3815 | - | |
SI7114DN-T1-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | TRANSISTOR 11.7 A, 1 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8, FET General Purpose Power | 재고 | - | |
SUM50020E-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 2377 | - | |
SI7110DN-T1-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | 20V 13.5A N-CH MOSFET, 5.3mR Rds On, 8-Pin PowerPAK | 34006 | - | |
SIHB17N80ESingle FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | 재고 | - | |
SI7108DN-T1-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | 20V 14A N-CH MOSFET 4.9mR SOT23-3 Surface Mount | 4085 | - | |
SIHB125N60EFSingle FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | 재고 | - | |
SIHB105N60EF-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
SIHB068N60EFSingle FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | 재고 | - | |
SIHA22N60EF-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 823 | - | |
SIHA186N60EF-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
SIHA186N60EFSingle FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | 재고 | - | |
SIHA125N60EF-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
SIHA125N60EFSingle FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | 재고 | - | |
SIHA11N80AE-GE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
SIDR680ADP-T1-RE3Single FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 30.7A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R | 2665 | - |