이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
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FB180SA10Single FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 | 재고 | - | |
FA38SA50LCSingle FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 | 재고 | - | |
FA57SA50LCSingle FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227 | 248 | - | |
VS-FB190SA10Single FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 | 재고 | - | |
VS-FA38SA50LCPSingle FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 | 재고 | - | |
VS-FA40SA50LCSingle FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227 | 재고 | - | |
VS-FA72SA50LCSingle FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227 | 재고 | - | |
VS-FB180SA10PSingle FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 | 재고 | - | |
VS-FC220SA20Single FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | 재고 | - | |
VS-FC80NA20Single FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 108A SOT227 | 재고 | - | |
VS-FC420SA10Single FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 435A SOT227 | 1878 | - | |
VS-FC420SA15Single FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 150V 400A SOT227 | 재고 | - | |
VS-FC270SA20Single FETs, MOSFETs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 287A SOT227 | 33 | - |