전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IRFF213FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 150V 1.8A 2.4Ω@10V 15W 4V@250uA 1 N-Channel TO-205AF(TO-39) | 재고 | - | |
IRFD111FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 80V 1A 800mΩ@10V 4V@250uA 1 N-Channel DIP-4 | 재고 | - | |
IRF730UFETs, MOSFETs | Texas Instruments | 400V 5.5A 5.5W 1Ω@10V 4V@250uA ROHS | 재고 | - | |
RFP40N10S5001FETs, MOSFETs | Texas Instruments | ROHS | 재고 | - | |
IRF540RP2FETs, MOSFETs | Texas Instruments | ROHS | 재고 | - | |
IRFP140RFETs, MOSFETs | Texas Instruments | 100V 31A 77mΩ@10V 180W 4V@250uA 1 N-Channel TO-247 | 재고 | - | |
IRFD321FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 350V 500mA 1.8Ω@10V 1W 4V@250uA 1 N-Channel DIP-4 | 재고 | - | |
2N6761FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 450V 4A 2Ω@10V 75W 4V@4mA 1 N-Channel TO-3 | 재고 | - | |
IRF645FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 250V 13A 125W 340mΩ@10V 4V@250uA 1 N-Channel D2PAK(TO-263) | 재고 | - | |
IRFF323FETs, MOSFETs | Texas Instruments | IRFF323 | 재고 | - | |
RFH45N05FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 50V 45A 40mΩ@10V,22.5A 150W 4V@1mA 1 N-Channel TO-218 | 재고 | - | |
RFH75N05EFETs, MOSFETs | Texas Instruments | 50V 75A 240W 8mΩ@10V [email protected] 1 N-Channel TO-218 | 재고 | - | |
2N6759FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 350V 4.5A 1.5Ω@10V 4V@1mA 1 N-Channel TO-3 | 재고 | - | |
IRFP153FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 60V 34A 80mΩ@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-247 | 재고 | - | |
RFM10N45FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 450V 10A 150W 600mΩ@10V 4V@1mA 1 N-Channel TO-3 | 재고 | - | |
RLD03N06CLEFETs, MOSFETs | Texas Instruments | RLD03N06CLE | 재고 | - | |
RFD16N05SM9AS2480FETs, MOSFETs | Texas Instruments | ROHS | 재고 | - | |
TPIC5322LDFETs, MOSFETs | Texas Instruments | 3-Channel Independent Driver 16-SOIC | 재고 | - | |
IRF640S2497FETs, MOSFETs | Texas Instruments | ROHS | 재고 | - | |
IRFF222FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 200V 3A 1.2Ω@10V 20W 4V@250uA 1 N-Channel TO-205AF(TO-39) | 재고 | - | |
RFP4N35FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 350V 4A 2Ω@10V 4V 1 N-Channel TO-220-3 | 재고 | - | |
RFM12P10FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 100V 12A 300mΩ@10V 4V@1mA 1 P-Channel TO-3 | 재고 | - | |
IRF721RFETs, MOSFETs | Texas Instruments | 350V 3.3A 1.8Ω@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 | 재고 | - | |
IRF712RFETs, MOSFETs | Texas Instruments | 400V 1.7A 3.6Ω@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 | 재고 | - | |
2N6767FETs, MOSFETs | Texas Instruments | 350V 12A 400mΩ@10V 150W 4V@1mA 1 N-Channel TO-3 | 재고 | - |