이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
GP2T080A120USingle FETs, MOSFETs | SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L | 1019 | - | |
GCMX080B120S1-E1Single FETs, MOSFETs | SemiQ | SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227 | 32 | - | |
GCMS080B120S1-E1Single FETs, MOSFETs | SemiQ | SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S | 1388 | - | |
GP2T080A120HSingle FETs, MOSFETs | SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L | 44 | - | |
GP2T040A120USingle FETs, MOSFETs | SemiQ | SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L | 20 | - | |
GP2T040A120HSingle FETs, MOSFETs | SemiQ | SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L | 18 | - | |
GCMS040B120S1-E1Single FETs, MOSFETs | SemiQ | SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S | 49 | - | |
GCMX040B120S1-E1Single FETs, MOSFETs | SemiQ | SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227 | 103 | - |