SemiQ_GP2T040A120U
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SemiQ
GP2T040A120U

278-GP2T040A120U
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SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
3192 pF @ 1000 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
118 nC @ 20 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-247-3
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전력 소비(최대)
322W (Tc)
패키지/케이스
TO-247-3
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FAQ

GP2T040A120U의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 GP2T040A120U의 장착 방식은 Through Hole입니다.
GP2T040A120U은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
GP2T040A120U은(는) 무엇인가요?
GP2T040A120U에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
GP2T040A120U에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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