메모리는 집적 회로에서 데이터 저장 장치로 사용되는 반도체 장치입니다. 이러한 장치는 비휘발성 또는 휘발성의 CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, 플래시, FRAM, NVSRAM, PCM(PRAM), PSRAM, RAM 및 SRAM의 여러 형식으로 제공됩니다. 이 장치의 메모리 크기는 64b ~ 6Tb이며 인터페이스는 I2C, MMC, 병렬, eMMC, 직렬, 단일 와이어, SPI, UFS, Xccela 버스 및 1-Wire입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
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K6T1008C2E-TB70000Memory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 128Kx8-7 TSOP | 재고 | - | |
K9F5608Q0C-DIB0Memory ICs Products | SAMSUNG | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata | 재고 | - | |
K6R4016V1D-TI08Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
KFG1G16Q2M-DEB5Memory ICs Products | SAMSUNG | Flash, 64MX16, 14.5ns, PBGA63, | 재고 | - | |
K521F13ACB-B050Memory ICs Products | SAMSUNG | eMCP eMMC + DRam | 재고 | - | |
KMFJ20007M-B214Memory ICs Products | SAMSUNG | eMCP 4GB eMMC + DRam | 1092 | - | |
KMF720012M-B2140Memory ICs Products | SAMSUNG | eMCP eMMC + DRam | 재고 | - | |
K6X8016T3B-UF70Memory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 512Kx16 | 재고 | - | |
K4G323222A-QC60TMemory ICs Products | SAMSUNG | SD SGRAM 1Mx32-60 PC166 | 재고 | - | |
K6R4016V1D-UI10TMemory ICs Products | SAMSUNG | Async Fast SRAM 256kx16 Pb-Free | 3792 | - | |
K7B323635C-PI75Memory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 1Mx36 Sync Burst SRAM (Pb-Free) | 재고 | - | |
K6T4008C1B-GB55000Memory ICs Products | SAMSUNG | 1939 | - | ||
K6T1008C2E-GF70TMemory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 128Kx8-7 | 재고 | - | |
K6H1616U6A-EF25Memory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 1Mx16 | 재고 | - | |
K6T4008U1C-VB70000Memory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 512Kx8-7 | 재고 | - | |
K7R641882M-FC25Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165 | 재고 | - | |
K6X8008C2B-TF55T00Memory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 1Mx8 Low Pwr | 재고 | - | |
K7R323682M-FC16Memory ICs Products | SAMSUNG | QDR SRAM, 1MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | 재고 | - | |
K6F8016T6C-FF70TMemory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 512Kx16 | 재고 | - | |
K7N323631C-PI25TMemory ICs Products | SAMSUNG | NtRAM 36Mb (1Mx36) | 재고 | - | |
K6R4008VID-KI10Memory ICs Products | SAMSUNG | Async Fast SRAM 512kx8 | 재고 | - | |
K4H561638F-TCCCMemory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | 재고 | - | |
K7R643684M-EI25Memory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 2Mx32 | 재고 | - | |
K7K3218T2C-FC40Memory ICs Products | SAMSUNG | 2Mx18 DDR2 CIO b2 SRAM | 재고 | - | |
K6X4008C1F-UF55TMemory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 512kx8 | 재고 | - |