JFET(접합 게이트 전계 효과 트랜지스터)는 전자 제어 스위치, 증폭기 또는 전압 제어 저항기로 사용되는 장치입니다. 게이트와 소스 단자 사이에 적절한 극성의 전위차가 가해지면 전류 흐름에 대한 저항이 증가합니다. 즉, 소스와 드레인 단자 사이의 채널에 흐르는 전류가 줄어듭니다. JFET는 소스와 드레인 단자 사이의 반도체 채널을 통해 흐르는 전하로 인해 바이어스 전류가 필요하지 않습니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
2SJ357JFETs | Renesas Electronics Corporation | P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH / Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) MP-2 | 4109 | - | |
2SK3900(01)-ZP-E1-AZJFETs | Renesas Electronics Corporation | 11010 | - | ||
2SK1959-T1-AZ/JMJFETs | Renesas Electronics Corporation | 재고 | - | ||
2SK425-T1B(X17)JFETs | Renesas Electronics Corporation | 915 | - | ||
2SK3455JFETs | Renesas Electronics Corporation | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET / Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Isolated | 7622 | - | |
2SK3385JFETs | Renesas Electronics Corporation | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE / Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-251 | 13203 | - | |
2SK2926STL-EJFETs | Renesas Electronics Corporation | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching / Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S) T/R | 2408 | - | |
2SJ197(0)-T1JFETs | Renesas Electronics Corporation | 재고 | - | ||
2SK1954-Z-E1JFETs | Renesas Electronics Corporation | Trans MOSFET N-CH 180V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | 51290 | - | |
2SJ204-T2BJFETs | Renesas Electronics Corporation | 재고 | - | ||
2SJ600(0)-Z-EJJFETs | Renesas Electronics Corporation | 1807 | - | ||
2SK2941JFETs | Renesas Electronics Corporation | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE / Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | 6598 | - | |
2SJ325-2-E1JFETs | Renesas Electronics Corporation | 재고 | - | ||
2SJ530-91STL-EJFETs | Renesas Electronics Corporation | 3502 | - | ||
2SK94-T1BJFETs | Renesas Electronics Corporation | 재고 | - | ||
2SK1254JFETs | Renesas Electronics Corporation | Silicon N-Channel MOS FET | 14720 | - | |
2SK3297JFETs | Renesas Electronics Corporation | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR / Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Isolated | 재고 | - | |
2SK2597JFETs | Renesas Electronics Corporation | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FOR BASE STATION OF 900 MHz BAND CELLULAR PHONE POWER AMPLIFICATION / N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | 재고 | - | |
2SJ598-ZJFETs | Renesas Electronics Corporation | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET / Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-252 | 12016 | - | |
2SK3114JFETs | Renesas Electronics Corporation | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE / Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Isolated | 1759 | - | |
2SK132-T1JFETs | Renesas Electronics Corporation | 재고 | - | ||
2SJ327JFETs | Renesas Electronics Corporation | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE / Trans MOSFET P-CH 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 | 24106 | - | |
2SK3431-ZJ-E1JFETs | Renesas Electronics Corporation | Trans MOSFET N-CH 40V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | 재고 | - | |
2SK160-T1BJFETs | Renesas Electronics Corporation | 2581 | - | ||
2SK4212A-ZK-SSAJFETs | Renesas Electronics Corporation | 8281 | - |