이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
QPD0005SRSingle FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor | 재고 | - | |
QPD1425Single FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs 1.2-1.4 GHz discrete | 재고 | - | |
QPD1028LSingle FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan | 10 | - | |
QPD0020TR7Single FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor | 재고 | - | |
QPD1018Single FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs 2.7-3.1 GHz, 500W,50V,GaN RF IMFET | 재고 | - | |
TGF2929-FLSingle FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN | 67 | - | |
QPD1011SRSingle FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs .03-1.2GHz 7W 50V GaN | 재고 | - | |
QPD1013TR7Single FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr | 재고 | - | |
QPD0006TR13Single FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs 2.5-5GHz 12W 48V GaN Transistor | 재고 | - | |
TGF2929-FSSingle FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN | 재고 | - | |
TGF2023-2-10Single FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB | 재고 | - | |
T1G4012036-FSSingle FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | 재고 | - | |
T1G4012036-FLSingle FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | 재고 | - | |
TGF2023-2-05Single FETs, MOSFETs | Qorvo | GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB | 재고 | - |