이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
PJP12NA60_T0_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 600V N-CHANNEL MOSFET | 재고 | - | |
PJD40N06A-AU_L2_000A1Single FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
PJQ5419_R2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 재고 | - | |
PJQ5423_R2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 3008 | - | |
PJF4NA90_T0_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 900V N-CHANNEL MOSFET | 재고 | - | |
PJD40N06A_L2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 재고 | - | |
PJD40N04_L2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 2382 | - | |
PJQ5424_R2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, | 2480 | - | |
PJQ5427_R2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 재고 | - | |
PJF60R290E_T0_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
PJA3435_R1_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor | 5902 | - | |
PJD6NA70_L2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 700V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | 재고 | - | |
PJQ5445_R2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 재고 | - | |
PJQ5450_R2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 재고 | - | |
PJQ5465A-AU_R2_000A1Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 재고 | - | |
PJA3403_R1_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 2165 | - | |
PJD60R390E_L2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO | 재고 | - | |
PJD16N06A-AU_L2_000A1Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 재고 | - | |
PJQ5463A-AU_R2_000A1Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 재고 | - | |
PJL9480_R2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | 2170 | - | |
PJQ2407_R1_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | 2525 | - | |
PJF6NA70_T0_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 700V N-CHANNEL MOSFET | 재고 | - | |
PJW1NA60A_R2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
PJL9458AL_R2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | 재고 | - | |
PJD3NA80_L2_00001Single FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | 재고 | - |