전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
PJU4NA65H_T0_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 650V N-Channel MOSFET | 재고 | - | |
PJQ5530-AU_R2_002A1FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET | 3000 | - | |
PJMB050N10NS2_R2_00601FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 100V/ 5mohm/ Low FOM MOSFET | 재고 | - | |
PJT138L_R2_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 재고 | - | |
PJX8805_R2_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | 재고 | - | |
PSMQC060N06LS1FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 재고 | - | |
PJMP125N60FRC_T0_00601FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 600V/ 125mohms / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss | 재고 | - | |
PJMB125N60FRC_R2_00201FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 600V/ 125mohm / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss | 재고 | - | |
BSS123_R2_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | Small Signal Field-Effect Transistor | 재고 | - | |
PJQ2815_S1_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | 재고 | - | |
PJT7812_R2_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | 재고 | - | |
PJQ1917_R1_00201FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | 9000 | - | |
PJA3412_R2_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 재고 | - | |
PJZ22NA50A_T0_10001FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
PJX8872B_R2_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 재고 | - | |
PJQ44611AP-AU_R2_002A1FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | 재고 | - | |
PJX8839_R2_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | 재고 | - | |
PJA3415AE-AU_R2_000A1FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | 재고 | - | |
PJA3402_R2_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 재고 | - | |
PJS6601_S1_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 0.056ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 | 4801 | - | |
PJMK040N60EC_T0_00201FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 600V/ 40mOhms / 71A/ Easy to driver SJ MOSFET | 재고 | - | |
PJQ5433E_R2_00201FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET | 재고 | - | |
PJA3433_R2_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | 재고 | - | |
PJS6602_S1_00001FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET | 재고 | - | |
2N7002KDW-AU_R2_000A2FETs, MOSFETs | PANJIT | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | 재고 | - |