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단일 IGBT
(636 결과)단일 IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터)는 고전류를 처리할 수 있고 빠른 스위칭 기능을 갖춘 3개의 단자가 있는 다층 반도체 장치입니다. 이는 유형, 컬렉터-이미터 항복 전압, 컬렉터 전류, 펄스 컬렉터 전류, VCE(ON), 스위칭 에너지 및 게이트 전하로 특성화됩니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 NGD18N40CLBT4Single IGBTs | onsemi | N-Channel Ignition IGBT 18 A, 400 V, Improved SCIS energy and Vce(on), DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL | 1102 | - | |
 FGH40N6S2Single IGBTs | onsemi | IGBT 600V 75A 290W TO247 | 38220 | - | |
FGH50N3Single IGBTs | onsemi | IGBT 300V 75A 463W TO-247 Through Hole | 재고 | - | |
FGH50N6S2Single IGBTs | onsemi | IGBT 600V 75A 463W TO247 | 재고 | - | |
 FGP20N6S2Single IGBTs | onsemi | IGBT 600V 28A 125W TO220AB | 재고 | - | |
FGP30N6S2DSingle IGBTs | onsemi | IGBT 600V 45A 167W TO220AB | 9014 | - | |
FGP30N6S2Single IGBTs | onsemi | IGBT 600V 45A 167W TO220AB | 9017 | - | |
FGP40N6S2Single IGBTs | onsemi | IGBT 600V 75A 290W TO220AB | 5903 | - | |
 HGTG12N60A4DSingle IGBTs | onsemi | 600V 60A IGBT Transistor, TO-247, 167W, 30ns RR | 1910 | - | |
 HGTG12N60A4Single IGBTs | onsemi | Insulated Gate Bipolar Transistor | 재고 | - | |
HGTG20N60A4DSingle IGBTs | onsemi | 600V 70A IGBT Transistor TO-247 Through Hole | 재고 | - | |
HGTG20N60A4Single IGBTs | onsemi | 600V 70A IGBT Transistor TO-247 | 재고 | - | |
HGTG30N60A4Single IGBTs | onsemi | 600V 75A IGBT Transistor TO-247 | 재고 | - | |
HGTG40N60A4Single IGBTs | onsemi | 600V 75A IGBT Transistor TO-247 | 445 | - | |
HGTG7N60A4DSingle IGBTs | onsemi | 600V, SMPS IGBT, 450-TUBE | 재고 | - | |
HGTP12N60A4DSingle IGBTs | onsemi | 600V 54A IGBT Transistor TO-220AB Through Hole | 재고 | - | |
HGTP20N60A4Single IGBTs | onsemi | 600V 70A IGBT Transistor TO-220 | 재고 | - | |
HGTP3N60A4DSingle IGBTs | onsemi | 600V, SMPS IGBT, TO-220 3L, 6400-RAIL | 41 | - | |
HGTP3N60A4Single IGBTs | onsemi | 600V IGBT, 17A, 70W, TO-220AB, Through Hole | 재고 | - | |
HGTP7N60A4DSingle IGBTs | onsemi | Insulated Gate Bipolar Transistor | 16116 | - | |
 ISL9V2040D3STSingle IGBTs | onsemi | IGBT, 430V, 10A, 1.9V Vce(on), 130W, N-Ch, DPAK | 2715 | - | |
 ISL9V2040S3STSingle IGBTs | onsemi | IGBT, 430V, 10A, 1.95V, 200mJ, DPAK EcoSPARK® I, N-Channel Ignition, 800-REEL | 재고 | - | |
ISL9V3040D3SSingle IGBTs | onsemi | Insulated Gate Bipolar Transistor | 108113 | - | |
ISL9V3040S3SSingle IGBTs | onsemi | Insulated Gate Bipolar Transistor | 20016 | - | |
 MGP15N40CLGSingle IGBTs | onsemi | 410 V, 15 A N-Channel Ignition IGBT, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE | 재고 | - |
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