양극성 RF 트랜지스터는 무선 주파수와 관련된 장비에서 신호를 전환하거나 증폭하는 데 사용되는 3개의 단자가 있는 반도체 장치입니다. 바이폴라 접합 트랜지스터는 NPN 또는 PNP로 설계되었으며 트랜지스터 유형, 컬렉터-에미터 항복 전압, 전이 주파수, 잡음 지수, 이득, 전력, DC 전류 이득 및 컬렉터 전류의 특성을 갖습니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
KSP10BUBipolar RF Transistors | onsemi | RF NPN BJT Transistor 25V 100mA 650MHz TO-92 | 19432 | - | |
KSC2756RMTFBipolar RF Transistors | onsemi | NPN BJT Transistor 20V 30mA 850MHz SOT-23 Surface Mount | 15017 | - | |
MMBTH10RGBipolar RF Transistors | onsemi | NPN RF Transistor, 3000-REEL | 재고 | - | |
PN5179Bipolar RF Transistors | onsemi | NPN RF Transistor, 2GHz, 50mA, 12V, TO-92 | 재고 | - | |
NSVF4020SG4T1GBipolar RF Transistors | onsemi | Trans RF BJT NPN 8V 0.15A 400mW Automotive 4-Pin MCPH T/R | 3595 | - | |
NSVF4015SG4T1GBipolar RF Transistors | onsemi | Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R | 2512 | - | |
NSVF5488SKT3GBipolar RF Transistors | onsemi | Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R | 7002 | - | |
NSVF5501SKT3GBipolar RF Transistors | onsemi | RF Transistor for Low Noise Amplifier, 8000-REEL | 10510 | - | |
2SC5347AE-TD-EBipolar RF Transistors | onsemi | RF Transistor, NPN Single PCP, 12 V, 150 mA, fT = 4.7 GHz, SOT-89 / PCP-1, 1000-REEL | 9667 | - | |
NSVMMBTH81LT1GBipolar RF Transistors | onsemi | SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V | 6000 | - | |
NSVMMBTH81LT3GBipolar RF Transistors | onsemi | SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V | 20000 | - | |
2SC5231C9-TL-EBipolar RF Transistors | onsemi | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | 285000 | - | |
CPH6001-TL-EBipolar RF Transistors | onsemi | RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP | 재고 | - | |
2SC4454Q-ACBipolar RF Transistors | onsemi | RF NPN 0.2A | 32500 | - | |
BF959GBipolar RF Transistors | onsemi | VHF Transistor, TO-92 (TO-226) 5.33mm Body Height, 5000-BLKBX | 재고 | - | |
4MN10CH-TL-EBipolar RF Transistors | onsemi | TRANS NPN 200V 100MA CPH3 | 38970 | - | |
MCH4013-TL-EBipolar RF Transistors | onsemi | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 재고 | - | |
NSVF6001SB6T1GBipolar RF Transistors | onsemi | RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, 3000-REEL | 2987 | - |