전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
PMWD16UN,518FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP | 재고 | - | |
PMWD19UN,518FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP | 재고 | - | |
PMGD130UN,115FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP | 1910 | - | |
SI9936DY,518FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SO | 5176 | - | |
PMDPB38UNE,115FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | 21009 | - | |
NX7002BKS115FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET | 재고 | - | |
PMDPB56XN,115FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON | 13501 | - | |
BUK7K6R2-40E/CXFET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 56LFPAK | 재고 | - | |
PMDPB95XNE,115FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON | 24004 | - | |
PMDPB42UN,115FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON | 27721 | - | |
PMGD400UN,115FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP | 1247 | - | |
BUK7230-55AFET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | PFET, 38A I(D), 55V, 0.003OHM, 1 / Mosfet Array | 7112 | - | |
PMT560ENEA,115FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON, / Mosfet Array | 재고 | - | |
BLA6H1011-600FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI / Mosfet Array | 재고 | - | |
PSMN035-150BFET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 / Mosfet Array | 2946 | - | |
D13N3LTFET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | 1973 | - | ||
PHC20512FET, MOSFET Arrays | NXP Semiconductors | Complementary enhancement mode MOS transistors | 5016 | - |