이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
NC1M120C75GTNGSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3 | 2400 | - | |
TO220FMDD4N65FSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | MOSFET TO-220F N 650V 4A | 10000 | - | |
TO252MDD7N65DSSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | MOSFET TO-252 N 650V 7A | 25000 | - | |
NC1M120C40GTNGSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | SiC MOSFET N 1200V 40mohm 76A 3 | 2400 | - | |
NC1M120C75RRNGSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7 | 2400 | - | |
NC1M120C40HTNGSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4 | 2400 | - | |
TO220FMD12N65FSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | MOSFET TO-220F N 650V 12A | 10000 | - | |
TO220FMD10N65FSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | MOSFET TO-220F N 650V 10A | 10000 | - | |
TO220FMDD7N65FSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | MOSFET TO-220F N 650V 7A | 10000 | - | |
TO252MDD4N65DSSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | MOSFET TO-252 N 650V 4A | 25000 | - | |
NC1M120C75HTNGSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4 | 2400 | - | |
NC1M120C12HTNGSingle FETs, MOSFETs | NextGen Components | SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A | 2400 | - | |
MDD3400Single FETs, MOSFETs | NextGen Components | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | 99722 | - |