단일 IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터)는 고전류를 처리할 수 있고 빠른 스위칭 기능을 갖춘 3개의 단자가 있는 다층 반도체 장치입니다. 이는 유형, 컬렉터-이미터 항복 전압, 컬렉터 전류, 펄스 컬렉터 전류, VCE(ON), 스위칭 에너지 및 게이트 전하로 특성화됩니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
APT15GT60KRGSingle IGBTs | Microsemi | Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | 재고 | - | |
APT95GR65JDU60Single IGBTs | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 재고 | - | |
APT70GR65B2SCD30Single IGBTs | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 재고 | - | |
APT30GS60KRGSingle IGBTs | Microsemi | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | 재고 | - | |
APT30GT60KRSingle IGBTs | Microsemi | IGBT 600V 64A 250W TO220 | 재고 | - | |
APT50GF120B2RSingle IGBTs | Microsemi | IGBT 1200V 135A 781W TMAX | 재고 | - | |
APT30GP60BDQ1Single IGBTs | Microsemi | IGBT 600V 100A 463W TO247 | 7621 | - | |
APT50GP60B2DQ2Single IGBTs | Microsemi | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin(3+Tab) T-MAX | 4507 | - | |
APT15GP90BDF1Single IGBTs | Microsemi | Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | 8011 | - | |
APT11GF120BRDQ1Single IGBTs | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | 11116 | - | |
APT15GP90KGSingle IGBTs | Microsemi | Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | 재고 | - | |
APT15GN120KGSingle IGBTs | Microsemi | Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | 재고 | - | |
APT20GF120BRDQ1GSingle IGBTs | Microsemi | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | 재고 | - |