단일 IGBT

(38 결과)

단일 IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터)는 고전류를 처리할 수 있고 빠른 스위칭 기능을 갖춘 3개의 단자가 있는 다층 반도체 장치입니다. 이는 유형, 컬렉터-이미터 항복 전압, 컬렉터 전류, 펄스 컬렉터 전류, VCE(ON), 스위칭 에너지 및 게이트 전하로 특성화됩니다.

부분 # 제조업체 설명 유효성 가격 수량
Microsemi_APT15GT60KRG

APT15GT60KRG

Single IGBTs
Microsemi Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
재고
-
Microsemi_APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Single IGBTs
Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
재고
-
Microsemi_APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Single IGBTs
Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
재고
-
Microsemi_APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Single IGBTs
Microsemi Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220
재고
-
Microsemi_APT30GT60KR

APT30GT60KR

Single IGBTs
Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO220
재고
-
Microsemi_APT50GF120B2R

APT50GF120B2R

Single IGBTs
Microsemi IGBT 1200V 135A 781W TMAX
재고
-
Microsemi_APT30GP60BDQ1

APT30GP60BDQ1

Single IGBTs
Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO247
7621
-
Microsemi_APT50GP60B2DQ2

APT50GP60B2DQ2

Single IGBTs
Microsemi Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
4507
-
Microsemi_APT15GP90BDF1

APT15GP90BDF1

Single IGBTs
Microsemi Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel
8011
-
Microsemi_APT11GF120BRDQ1

APT11GF120BRDQ1

Single IGBTs
Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247
11116
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Microsemi_APT15GP90KG

APT15GP90KG

Single IGBTs
Microsemi Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
재고
-
Microsemi_APT15GN120KG

APT15GN120KG

Single IGBTs
Microsemi Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
재고
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Microsemi_APT20GF120BRDQ1G

APT20GF120BRDQ1G

Single IGBTs
Microsemi IGBT 1200V 36A 200W TO247
재고
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