양극성 RF 트랜지스터는 무선 주파수와 관련된 장비에서 신호를 전환하거나 증폭하는 데 사용되는 3개의 단자가 있는 반도체 장치입니다. 바이폴라 접합 트랜지스터는 NPN 또는 PNP로 설계되었으며 트랜지스터 유형, 컬렉터-에미터 항복 전압, 전이 주파수, 잡음 지수, 이득, 전력, DC 전류 이득 및 컬렉터 전류의 특성을 갖습니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
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JANS2N2857UBBipolar RF Transistors | Microchip Technology | Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 200mW 4-Pin Case UB | 재고 | - | |
JANSR2N2857UBBipolar RF Transistors | Microchip Technology | Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 200mW 4-Pin Case UB | 재고 | - | |
JANTXV2N2857Bipolar RF Transistors | Microchip Technology | RF Transistor, NPN, Silicon, Low Power | 57 | - | |
JANTXV2N4957UBBipolar RF Transistors | Microchip Technology | Trans RF BJT PNP 30V 0.03A 200mW 4-Pin Case UB | 재고 | - | |
JANS2N4957UBBipolar RF Transistors | Microchip Technology | Trans RF BJT PNP 30V 0.03A 200mW 4-Pin Case UB | 재고 | - | |
JAN2N4957UBBipolar RF Transistors | Microchip Technology | Silicon PNP Amplifier Transistor Designed for VHF-UHF Equipment | 재고 | - | |
GRP-DATA-JANTX2N4957Bipolar RF Transistors | Microchip Technology | PNP Silicon transistor | 재고 | - | |
GRP-DATA-JANTX2N3866ABipolar RF Transistors | Microchip Technology | Trans RF BJT NPN 30V 0.4A 1000mW 3-Pin TO-39 | 재고 | - | |
GRP-DATA-JANTX2N2857Bipolar RF Transistors | Microchip Technology | Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 300mW 4-Pin TO-72 | 재고 | - | |
GRP-DATA-JANHCA2N5109Bipolar RF Transistors | Microchip Technology | Trans RF BJT NPN 20V 0.4A 3-Pin TO-39 | 재고 | - | |
SG3081J/883BBipolar RF Transistors | Microchip Technology | Transistor Arrays | 재고 | - |