이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
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CG2H40025PSingle FETs, MOSFETs | MACOM Technology Solutions | GaN FETs 25W, 4.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40025P) | 재고 | - | |
CGH60008D-GP5Single FETs, MOSFETs | MACOM Technology Solutions | GaN FETs DIE, 8W, 6.0GHz, GaN HEMT, GP5, 510418 | 재고 | - | |
CGH60120D-GP5Single FETs, MOSFETs | MACOM Technology Solutions | GaN FETs DIE, 120W, GaN HEMT, GP4, 510400, 28.8mm | 재고 | - | |
CGH60030D-GP5Single FETs, MOSFETs | MACOM Technology Solutions | GaN FETs DIE, 30W, 6.0GHz, GaN HEMT, 510398,7.2mm | 재고 | - | |
NPT25100PSingle FETs, MOSFETs | MACOM Technology Solutions | GaN FETs Amplifier,GaN,DC-2700MHz | 재고 | - | |
CGHV1J006D-GP5Single FETs, MOSFETs | MACOM Technology Solutions | GaN FETs DIE, 6W, 18.0GHz, GaN HEMT, 1.2mm, GP5 | 재고 | - | |
GTRB184402FC-V1-R0Single FETs, MOSFETs | MACOM Technology Solutions | GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT | 재고 | - | |
GTRB184402FC-V1-R2Single FETs, MOSFETs | MACOM Technology Solutions | GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT | 재고 | - |