단일 IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터)는 고전류를 처리할 수 있고 빠른 스위칭 기능을 갖춘 3개의 단자가 있는 다층 반도체 장치입니다. 이는 유형, 컬렉터-이미터 항복 전압, 컬렉터 전류, 펄스 컬렉터 전류, VCE(ON), 스위칭 에너지 및 게이트 전하로 특성화됩니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
AIHD03N60RFATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 재고 | - | |
AIHD04N60RATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 재고 | - | |
AIHD04N60RFATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 재고 | - | |
AIHD06N60RATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 재고 | - | |
AIHD06N60RFATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 재고 | - | |
AIHD10N60RATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 재고 | - | |
AIHD10N60RFATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 재고 | - | |
AIHD15N60RATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 재고 | - | |
AIHD15N60RFATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO252-3 | 재고 | - | |
AIKB20N60CTATMA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO263-3 | 925 | - | |
AIKW50N65DF5XKSA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V TO247-3 | 2 | - | |
AIKW75N60CTXKSA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V TO247-3 | 1134 | - | |
IKA20N65ET6XKSA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 650V 20A TO220-3 | 재고 | - | |
IKQ75N120CT2XKSA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 1200V 150A TO247-3 | 287 | - | |
SIGC12T60NCX1SA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V WAFER | 재고 | - | |
SIGC39T60EX7SA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V 75A WAFER | 재고 | - | |
SIGC25T60NCX7SA2Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V WAFER | 재고 | - | |
SIGC121T60NR2CX7SA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V WAFER | 재고 | - | |
SIGC81T60SNCX1SA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V WAFER | 재고 | - | |
SIGC15T60EX1SA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V 30A WAFER | 재고 | - | |
SIGC18T60NCX1SA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V WAFER | 재고 | - | |
SIGC42T60UNX1SA2Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V WAFER | 재고 | - | |
SIGC61T60NCX1SA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V WAFER | 재고 | - | |
SIGC15T60EX7SA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V 30A WAFER | 재고 | - | |
SIGC81T60SNCX7SA1Single IGBTs | Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V WAFER | 재고 | - |