이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IRF5305STRRPBFSingle FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 735 | - | |
IRFS4229PBFSingle FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | 558 | - | |
IPW90R340C3FKSA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 | 재고 | - | |
IRF1404SPBFSingle FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK | 3642 | - | |
IPLK70R1K2P7ATMA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TDSON-8 | 5000 | - | |
IPP03N03LASingle FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 | 재고 | - | |
IRF7526D1TRSingle FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 | 38812 | - | |
IPD100N06S403ATMA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 | 재고 | - | |
IPW60R080P7XKSA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 | 836 | - | |
IPP90N06S404AKSA2Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 | 재고 | - | |
IPW60R170CFD7XKSA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3 | 148 | - | |
IPB039N04LGATMA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | 재고 | - | |
IAUT300N08S5N012ATMA2Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF | 3857 | - | |
IPD80R900P7ATMA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 | 1325 | - | |
IPA80R1K4CEXKSA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220 | 재고 | - | |
IPP80N06S2L09AKSA2Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | 재고 | - | |
BSO110N03MSGXUMA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO | 29859 | - | |
IPB022N12NM6ATMA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | 430 | - | |
IRFR120ZTRSingle FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | 재고 | - | |
ISP13DP06NMSATMA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V SOT223 | 6616 | - | |
IRFR3911TRPBFSingle FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 14A DPAK | 697 | - | |
IRF7807D2PBFSingle FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO | 재고 | - | |
IRFR540ZTRLPBFSingle FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | 2680 | - | |
IRFB5620PBFXKMA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | 재고 | - | |
IPB0401NM5SATMA1Single FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | 990 | - |