단일 정류기 다이오드 제품군 내의 제품은 한 방향으로만 전류 흐름을 허용하고 장치 패키지당 이 기능의 인스턴스를 정확히 하나만 구현하는 데 사용됩니다. 다른 목적으로 사용되는 다이오드(제너 및 가변 용량 다이오드 포함)는 장치 패키지당 여러 다이오드를 통합하는 제품과 마찬가지로 자체 제품군에 별도로 나열됩니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
GATELEADWHBK750XXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | STD THYR/DIODEN DISC | 재고 | - | |
D850N36TXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 3.6KV 850A | 재고 | - | |
D1481N58TSingle Diodes | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 5.8KV 2200A | 재고 | - | |
D3040N68TSingle Diodes | Infineon Technologies | RECTIFIER DIODE 6800V 2930A | 재고 | - | |
SIDC30D60E6X1SA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GP 600V 75A WAFER | 재고 | - | |
SDT05S60Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2 | 재고 | - | |
GATELEADWHRD394XXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | STD THYR/DIODEN DISC | 재고 | - | |
D1050N12TXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 1050A | 재고 | - | |
D1381S45TXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A | 재고 | - | |
SIDC14D120H8X1SA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GP 1.2KV 25A WAFER | 재고 | - | |
D650N06TXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 650A | 재고 | - | |
D650N08TXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 800V 650A | 재고 | - | |
SIDC06D120H8X1SA2Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GP 1.2KV 7.5A WAFER | 재고 | - | |
D4201N22TXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 2.2KV 6010A | 재고 | - | |
IDH02SG120XKSA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2 | 1672 | - | |
DZ600N14KHPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.4KV 735A MODULE | 재고 | - | |
ND89N12KXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | THYR / DIODE MODULE DK | 재고 | - | |
D1230N12TXPSA1Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 1230A | 재고 | - | |
SDT12S60Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2 | 재고 | - | |
IDB15E60Single Diodes | Infineon Technologies | DIODE GP 600V 29.2A TO263-3-2 | 886 | - | |
IDC28D120T8MX1SA1Single Diodes | Infineon Technologies | High Reliability Rectifiers IC | 재고 | - | |
SIDC81D120H8X1SA2Single Diodes | Infineon Technologies | Diode Switching 1.2KV 150A 2-Pin Die Wafer | 재고 | - | |
IDC21D120T8MX1SA1Single Diodes | Infineon Technologies | High Reliability Rectifiers IC | 재고 | - | |
HFA35HB60CSingle Diodes | Infineon Technologies | Diode Switching 30A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | 1682 | - | |
| Infineon Technologies | IDK10G120C5XTMA1 | 1200 V Silicon Carbide Schottky diode Package TO-263 real 2pin Qualification Industrial | 1000 | - |