전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IPA65R190CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 17.5A TO220FP CoolMOS CFD2 | 3 | - | |
IPA65R380E6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6 | 74 | - | |
IMW65R026M2HXKSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 | 350 | - | |
BSC084P03NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3 | 9893 | - | |
IMT65R050M2HXUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 190 | - | |
IPB072N15N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 100002 | - | |
IPT007N06NFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | 5283 | - | |
IPW65R048CFDAFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3 | 269 | - | |
BSS138N H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 375559 | - | |
IPP65R065C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | 360 | - | |
IPP60R099P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | 484 | - | |
IPB120N04S4-01FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 753 | - | |
GS-065-011-6-LR-TRFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability | 재고 | - | |
BSB280N15NZ3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3 | 재고 | - | |
IPB090N06N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 2442 | - | |
IPB50N10S3L-16FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | 475 | - | |
SPW47N60C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 | 68 | - | |
SPA04N80C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 재고 | - | |
IPW60R125C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6 | 192 | - | |
IPD90P03P4L-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 재고 | - | |
IPD50P03P4L-11FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 1504 | - | |
IPB60R165CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP | 2625 | - | |
BSD235N H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | 775 | - | |
BSC070N10NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 | 4944 | - | |
IPA60R750E6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS E6 | 18 | - |