전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
EPC2100ENGRTFET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE | 재고 | - | |
EPC2101ENGRTFET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE | 재고 | - | |
EPC2102ENGRTFET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 60V 23A DIE | 재고 | - | |
EPC2221FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 100V 5A DIE | 5173 | - | |
EPC2106ENGRTFET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE | 재고 | - | |
EPC2103ENGRTFET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 80V 23A DIE | 재고 | - | |
EPC2103FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 80V 28A DIE | 11137 | - | |
EPC2108FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | 1074 | - | |
EPC2102FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 60V 23A DIE | 125 | - | |
EPC2110FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE | 14435 | - | |
EPC2107FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 3 N-CH 100V 9BGA | 5627 | - | |
EPC2106FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE | 82754 | - | |
EPC2105FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE | 2014 | - | |
EPC2104ENGRTFET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 100V 23A DIE | 재고 | - | |
EPC2111FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 30V 16A DIE | 19882 | - | |
EPC2110ENGRTFET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE | 재고 | - | |
EPC2100FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE | 230 | - | |
EPC2101FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE | 33 | - | |
EPC2104FET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 100V 23A DIE | 4492 | - | |
EPC2105ENGRTFET, MOSFET Arrays | EPC | GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE | 재고 | - |