전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
DMTH6015LDVWQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI3333 | 재고 | - | |
DMP31D7LDWQ-7FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 0.55A SOT363 | 6012 | - | |
DMT6011LPDW-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 10.3A POWERDI50 | 2513 | - | |
DMTH6015LDVW-7FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI3333 | 재고 | - | |
DMN3055LFDBQ-7FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 5A 6UDFN | 재고 | - | |
DMP2045UFDB-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN | 재고 | - | |
DMN3401LDWQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363 | 재고 | - | |
DMT69M9LPDW-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 11A/44A PWRDI50 | 재고 | - | |
DMTH6015LPDW-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50 | 재고 | - | |
DMN4027SSDQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SOP | 재고 | - | |
DMTH4008LPDW-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50 | 재고 | - | |
DMP2040UND-7FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A PWRDI3333 | 2018 | - | |
DMN2053UVTQ-7FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26 | 3438 | - | |
DMC2025UFDBQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6UDFN | 재고 | - | |
DMP4025LSDQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.8A 8SO | 1299 | - | |
DMN2710UDWQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363 | 재고 | - | |
DMP4047SSDQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SO | 2490 | - | |
DMTH4014LDVW-7FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333 | 재고 | - | |
MSCSM170TAM45CT3AGFET, MOSFET Arrays | Microchip Technology | SIC 6N-CH 1700V 64A | 재고 | - | |
MSCSM120DUM31CTBL1NGFET, MOSFET Arrays | Microchip Technology | SIC 2N-CH 1200V 79A | 6 | - | |
MSCSM120DDUM16CTBL3NGFET, MOSFET Arrays | Microchip Technology | SIC 4N-CH 1200V 150A | 3 | - | |
MSCSM170AM029CT6LIAGFET, MOSFET Arrays | Microchip Technology | SIC 2N-CH 1700V 676A | 1 | - | |
MSCSM120AM31CTBL1NGFET, MOSFET Arrays | Microchip Technology | SIC 2N-CH 1200V 79A | 6 | - | |
MSCSM170HM12CAGFET, MOSFET Arrays | Microchip Technology | SIC 4N-CH 1700V 179A | 13 | - | |
MSCSM170AM058CT6LIAGFET, MOSFET Arrays | Microchip Technology | SIC 2N-CH 1700V 353A | 4 | - |