YAGEO_XP10NA011J
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YAGEO
XP10NA011J

278-XP10NA011J
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S
26 Weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original
D&B

기술 사양

HTSUS
8541.29.00.95
FET 유형
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2288 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-251S
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
Power Dissipation-Max
1.13W (Ta), 50W (Tc)
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FAQ

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