Vishay_SUD20N10-66L-GE3
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Vishay
SUD20N10-66L-GE3

278-SUD20N10-66L-GE3
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 16.9A I(D), 100V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2
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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
TO-252-3
Continuous Drain Current (ID)
16.9A
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
입력 커패시턴스
860pF
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
41.7W
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FAQ

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SUD20N10-66L-GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SUD20N10-66L-GE3은(는) 현재 재고가 있나요?
SUD20N10-66L-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SUD20N10-66L-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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