Vishay_SQM120P04-04L_GE3
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Vishay
SQM120P04-04L_GE3

278-SQM120P04-04L_GE3
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
TO-263-3
Continuous Drain Current (ID)
120A
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
Fall Time
45ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
입력 커패시턴스
13.98nF
Lead Free
Lead Free
Max Operating Temperature
175°C
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FAQ

SQM120P04-04L_GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 SQM120P04-04L_GE3의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
SQM120P04-04L_GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SQM120P04-04L_GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SQM120P04-04L_GE3은(는) 무엇인가요?
SQM120P04-04L_GE3은(는) 현재 재고가 있나요?
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