


Vishay
SQM120P04-04L_GE3
278-SQM120P04-04L_GE3
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
18 weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
Package/Case
TO-263-3
Continuous Drain Current (ID)
120A
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
Fall Time
45ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
입력 커패시턴스
13.98nF
Lead Free
Lead Free
Max Operating Temperature
175°C
FAQ
SQM120P04-04L_GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 SQM120P04-04L_GE3의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
SQM120P04-04L_GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SQM120P04-04L_GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SQM120P04-04L_GE3은(는) 무엇인가요?
SQM120P04-04L_GE3은(는) 현재 재고가 있나요?



.png)



















.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)










