Vishay_SQJ963EP-T1_GE3
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Vishay
SQJ963EP-T1_GE3

278-SQJ963EP-T1_GE3
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.085ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8L, 4 PIN
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Continuous Drain Current (ID)
-8A
Drain to Source Resistance
115mR
드레인-소스 전압(Vdss)
-60V
Fall Time
8ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
175°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
27W
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FAQ

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