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SQD30N05-20L_GE3
278-SQD30N05-20L_GE3
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
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책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-252
Continuous Drain Current (ID)
30A
드레인-소스 전압(Vdss)
55V
Fall Time
5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
175°C
Min Operating Temperature
-55°C
Mount
Surface Mount
FAQ
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